Abderrahmane Kadri

Pays :Algérie
Langue :français
Note :
Docteur ès-sciences, milieux denses et matériaux (Montpellier 2, 1986)
ISNI :ISNI 0000 0000 0051 4061

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  • Niveaux d'impuretés "peu profonds" et "profonds" sous champ magnétique intense et sous pression hydro-statique dans les semiconducteurs 3-5, InSb, InAs, InP et GainSb transition métal/isolant

    Description matérielle : 1 microfiche
    Édition : Grenoble 2 : ANRT , 1986

    [catalogue][https://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb375986208]

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Sources de la notice

  • Niveaux d'impuretés "peu profonds" et "profonds" sous champ magnétique intense et sous pression hydro-statique dans les semiconducteurs 3-5, InSb, InAs, InP et GainSb transition métal/isolant / Abderrahmane Kadri, 1986 [thèse]

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