Nadjib Hassani

Pays :Algérie
Langue :français
Note :
Titulaire d'un doctorat d'université en sciences des matériaux (Paris 6, 1988)
ISNI :ISNI 0000 0003 8248 5074

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  • Etude de la densité des états localisés dans le silicium amorphe hydrogène (intrinsèque ou dopé) à partir de la mesure d'admittance de diodes Schottry en régime quasi-stationnaire

    Description matérielle : 1 microfiche
    Édition : Grenoble 2 : ANRT , 1988

    [catalogue][http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376143320]

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Sources de la notice

  • Etude de la densité des états localisés dans le silicium amorphe hydrogène (intrinsèque ou dopé) à partir de la mesure d'admittance de diodes Schottry en régime quasi-stationnaire / Nadjib Hassani, 1988 [thèse univ.]

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