Nouria Agoudjil

Langue :français
Note :
Docteur en chimie des matériaux (Montpellier 2, 1988)
ISNI :ISNI 0000 0003 6449 1243

Ses activités

Auteur du texte1 document

  • Sulfuration plasma et thermique des semi-conducteurs GaAs, InAs, InSd, Hg1-xCdxTe

    Description matérielle : 1 microfiche
    Édition : Grenoble 2 : ANRT , 1988

    [catalogue][https://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376111990]

Pages dans data.bnf.fr

Cette page dans l'atelier

Sources et références

Voir dans le catalogue général de la BnF

Sources de la notice

  • Sulfuration plasma et thermique des semi-conducteurs GaAs, InAs, InSb, Hg1-xCdxTe / Nouria Agoudjil, 1988 [thèse]

Pages équivalentes