Francis Debrie

Pays :France
Langue :français
Note :
Docteur en microélectronique (Toulouse, Institut national polytechnique, 1986)
ISNI :ISNI 0000 0000 0040 5076

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  • Elaboration d'une technologie auto-alignée par gravure plasma de métaux réfractaires pour transistors à effet de champ à hétérojonction (AIGaAs/GaAs)

    Description matérielle : 1 microfiche
    Édition : Grenoble 2 : ANRT , 1986

    [catalogue][http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb375970102]

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Sources de la notice

  • Elaboration d'une technologie auto-alignée par gravure plasma de métaux réfractaires pour transistors à effet de champ à hétérojonction, AlGaAs/GaAs / Francis Debrie, 1986 [thèse]

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