Hassan Emtyasi

Langue :français
Note :
A soutenu une thèse de 3 °cycle en électronique, électrotechnique et automatisme (Toulouse III : 1978)
ISNI :ISNI 0000 0000 0067 3951

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  • Contribution à la caractérisation et à l'analyse des dégradations des diodes électroluminescentes au GaP : N

    Description matérielle : 138 p.
    Édition : [S.l.n.d.]

    [catalogue][http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb366862942]

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Sources de la notice

  • Contribution à la caractérisation et à l'analyse des dégradations des diodes électroluminescentes au GaP : N / Hassan Emtyasi, [1978?] [thèse]

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